1.分辨率： 1.1 点分辨率：≤0.23nm@200KV； 1.2 线分辨率：≤0.10nm@200KV；0.14nm@80KV； 1.3 背散射电子分辨率：≤1.0nm@200KV； 1.4 STEM BF/DF分辨率：≤0.16nm@200KV；≤0.31nm@80KV； 1.5 信息分辨率：≤0.12nm@200KV。 2.加速电压：80-200kV 3.TEM模式下放大倍数：20-2,000,000× 4.X射线能谱分析： 4.1 能量分辨率：≤129eV； 4.2 元素分析范围：4B至92U； 4.3 具有回放功能；带有点、线、面分析模式。 5.数字化照相系统 5.1 CMOS相机最大像素：≥5688 x 3336，总像素大于1900万； 5.2 具有大的动态范围，可以快速直接拍摄衍射花样和低剂量图像； 5.3 防漂移等高级功能：自动漂移校正。 6.独有的BEI/SEI图像，可以部分实现扫描电镜功能 7.全自动装样样品台SPECPORTER™，可全自动实现样品杆的自动进入和退出。

该设备可广泛应用于金属、矿物、半导体、陶瓷、生物、高分子、复合材料、催化剂等物质的纳米尺度微分析。 主要应用： （1）微观结构观察：材料的形貌、结构、缺陷和界面的微观分析，包括明场像、暗场像、STEM像、高角环形暗场像、选区电子衍射、背散射电子/二次电子像和高分辨分析等。 （2）成分分析：可进行成分的定性和半定量分析，元素的点、线和面分析等。